Samsung SSD mSATA 250GB MZ-M5E250BW 850E

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mSATA 256-bit AES

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MZ-M5E250BW

Nuovo

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104,01 €

Che cos'è la memoria 3D V-NAND e come si differenzia dalla tecnologia esistente?


L'esclusiva e innovativa architettura di memoria flash 3D V-NAND di Samsung è un'assoluta novità che supera le limitazioni di densità, le prestazioni e la durata dell'attuale architettura planare della NAND tradizionale. La 3D V-NAND del 850 EVO è prodotta impilando verticalmente 32 strati di celle uno sull'altro invece di ridurre le dimensioni delle celle e cercare di adattarle in uno spazio orizzontale, questo processo porta un miglioramento delle prestazioni a parità di spazio.

Ottimizza le operazioni quotidiane di calcolo con la tecnologia TurboWrite per velocità di lettura / scrittura senza rivali


Grazie alla tecnologia TurboWrite di Samsung ottieni prestazioni di lettura / scrittura imbattibili per massimizzare la tua esperienza quotidiana di calcolo. L'850EVO offre le prestazioni migliori della sua categoria nelle velocità di lettura (549 MB/s) e di scrittura (520 MB/s) sequenziale.
**Scrittura random (QD32,120 GB): 36000 IOPS (840 EVO) >, 88000 IOPS (850 EVO)

Con la modalità migliorata RAPID sei in pole position


Abilita la modalità Rapid dal Software Magician per raddoppiare la velocità di elaborazione dei dati, infatti la modalità Rapid sfrutta la memoria Dram inutilizzata del PC come cache per aumentare le performance. Inoltre grazie alla nuova versione di Magician puoi Rapid utilizzerà fino a 4 GB di Dram (se il pc è dotato di 16 GB di dram).
* Il miglioramento delle prestazioni può variare a seconda dell'hardware e della configurazione di sistema.

Durabilità e affidabilità garantite, supportate dalla tecnologia V-NAND 3D


Rispetto alla generazione precedente 840 EVO*, l'850 EVO offre durabilità e affidabilità garantite raddoppiando i TBW, con una garanzia di 5 anni leader nel mercato. L'850 EVO consente miglioramenti delle prestazioni fino al 30%**, dimostrandosi uno dei dispositivi per l'archiviazione più affidabili al mondo. .

Efficienza energetica grazie alla V-NAND 3D


L'850 EVO ha introdotto la modalità Sleep del dispositivo a 2mW e con la rivoluzionaria tecnologia 3D V-NAND (con consumi ridotti del 50% rispetto alla tecnologia planare 2D NAND), garantisce un incremento pari al 25% in termini di efficienza energetica nel corso delle operazioni di scrittura*.

Tanti formati per tutte le esigenze


Il nuovo 850 EVO è ora compatibile con tutti i tuoi device: scopri il formato mSATA, snello e sottile, con interfaccia SATA. E' perfetto per aumentare le prestazioni dei PC portatili ultra sottili.

Sicurezza e protezione dei dati


L'850 EVO è dotato delle più recenti tecnologie di crittografia basate su hardware. La tecnologia di crittografia AES 256 mette al sicuro i dati senza ridurre il livello delle prestazioni ed è conforme a TCG Opal 2.0. Inoltre è compatibile con l'e-drive IEEE1667 Microsoft in modo che i dati siano sempre protetti per la tua massima tranquillità.

Dynamic Thermal Guard


L'850 EVO include la protezione Dynamic Thermal Guard che tiene il tuo SSD al sicuro dal calore. La protezione Dynamic Thermal Guard controlla la temperatura di esercizio ottimale con una funzione che abbassa automaticamente la temperatura dell'SSD quando serve, proteggendo i tuoi dati e garantendoti la velocità di elaborazione che ti aspetti.

Passa a un livello superiore


In tre semplici mosse, il software One-stop Install Navigator di Samsung ti consente facilmente di migrare tutti i dati e le applicazioni dall'archiviazione primaria esistente all'850 EVO. Il software Magicial Samsung ti consente anche di ottimizzare e gestire il tuo sistema per il tuo SSD.

Sinergia dei componenti


Samsung è l'unico marchio di SSD a progettare e produrre tutti i suoi componenti in-house consentendo la completa integrazione ottimizzata. Il risultato? Prestazioni incredibili, consumo energetico ridotto, memoria cache DRAM LPDDR2 fino a 1 GB ed efficienza energetica migliorata grazie al controller MEX / MGX
Capacità SSD250 GB
Altezza5,08 cm
Interfacce SSDmSATA
InternoSi
Velocità di trasferimento dati6 Gbit/s
MTBF1500000 h
Velocità di lettura540 MB/s
Velocità di scrittura520 MB/s
Scrittura sequenzialeSi
Tensione di esercizio5 V
Random read (4KB)97000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Random write (4KB)88000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
S.M.A.R.T supportSi
TRIM supportSi
Algoritmi di sicurezza supportati256-bit AES
Classificazione per TBW75
Larghezza3 cm
Profondità3,81 cm
Peso9,07 g

Garanzia legale

Tutti i prodotti venduti da Hardware Planet sono coperti dalla garanzia legale prevista dal Codice del Consumo (D.Lgs 206/2005 e successive modifiche) per il termine massimo di due anni dalla consegna del bene. Il cliente con l’accettazione del contratto d’acquisto dichiara di prendere atto delle modalità di Assistenza in vigore al momento del ricorso all'Assistenza in Garanzia. Per fruire dell’assistenza in garanzia, il Cliente dovrà conservare per un periodo di 2 ANNI dal ricevimento della merce:

  • la fattura che riceverà via e-mail in formato PDF;
  • la confezione o l’imballo originale del prodotto ricevuto. Non potranno, infatti, essere accettati prodotti sprovvisti della confezione originale, poichè in assenza di questa, non può essere verificata la provenienza e l’autenticità del prodotto e di conseguenza, non può essere accettato il reso.

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Diritto di Recesso

Ai sensi dell'art. 64 Codice del Consumo, se il cliente è un consumatore (ossia una persona fisica che acquista la merce per scopi non riferibili alla propria attività professionale), ha diritto a recedere dal contratto di acquisto per qualsiasi motivo, senza necessità di fornire spiegazioni e senza alcuna penalità, nel termine PERENTORIO di 14 giorni, decorrenti dalla data di ricevimento della merce.

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Gestione energetica
Larghezza3 cm
Profondità3,81 cm
Altezza5,08 cm
Peso9,07 g
Condizioni ambientali
Tensione di esercizio5 V
Tablet
InternoSi
I/O interni
Capacità SSD250 GB
Velocità di lettura540 MB/s
Velocità di scrittura520 MB/s
Velocità di trasferimento dati6 Gbit/s
Random read (4KB)97000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Random write (4KB)88000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Algoritmi di sicurezza supportati256-bit AES
TRIM supportSi
Scrittura sequenzialeSi
MTBF1500000 h
Classificazione per TBW75